• 安森美半導體確認對氣候變化行動及透明度的承諾

    2021年3月18日 —安森美半導體公司 (ON Semiconductor) 宣佈,已在其社會責任網頁公佈其針對半導體行業的2020年可持續發展會計標準委員會 (SASB) 的結果。 此外,公司確認其可持續計劃與氣候相關財務披露工作組(TCFD)的建議一致。 這些結果加強了安森美半導體致力於發展應對全球氣候變化的戰略和計劃的決心。 安森美半導體總裁兼首席執行官(CEO) Hassane El-Khoury説: “氣候變化仍然是當今全球所有企業面對的關鍵問題之一,我們認為必須瞭解我們公司業務面對的潛在風險,以及認識並解決我司業務對氣候的潛在影響。我們越能識別這些風險和機會,就越能在全球業務中緩解氣候挑戰,更好地服務客户。我們致力於在公司內部推動可持續發展,並持續向我們的投資者和所有其他利益相關者披露氣候變化行動的狀況和計劃,對其負責。” 2021年安森美半導體確認了其氣候變化政策,強調其氣候變化相關的行動的重點領域。根據該政策,公司打算採取行動,解決其全球製造廠的碳排放問題,提供幫助客户實現其氣候目標的產品,並向員工提供可持續生活的教育和信息。 TCFD建議旨在向貸款人、保險人和投資者提供對決策有用的信息。 第三方分析指出,該公司完善的企業風險管理計劃(ERM)已確定一些與其業務相關的氣候風險,並指出董事會、行政主管以及公司的環境、健康與安全(EHS)部門目前對氣候變化的認識。 道德與企業社會責任副總裁張慧貞説“我們很自豪擁有應對TCFD四個支柱的關鍵要素,包括管治、戰略、風險管理以及指標和目標。應對這些支柱需要長期的承諾,只有在董事會、領導層和員工的參與下,有了清晰的願景和強而有力的執行力才能實現。” 安森美半導體2019年企業社會責任(CSR)可以在此處下載。安森美半導體2020年 CSR報告預計將於2021年6月發佈。

    安森美半導體(ON) 安森美半導體 SASB 氣候變化

  • 東芝為A3多功能打印機推出縮影鏡頭型CCD線性圖像傳感器

    東芝為A3多功能打印機推出縮影鏡頭型CCD線性圖像傳感器

    中國上海,2021年3月17日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,推出縮影鏡頭型CCD線性圖像傳感器“TCD2726DG”,能讓A3多功能打印機實現高速掃描。工程樣品[1]已於今日開始批量出貨。 目前,對具有更高掃描速度的A3多功能打印機的需求在不斷增長。TCD2726DG能通過更高的時鐘速率來提高性能,滿足需求:其數據速率達100MHZ(50MHz×2ch),而東芝當前傳感器的數據速率為70MHz(35MHz×2ch)[2]。 為避免時鐘速度加快造成的電磁干擾(EMI)增加的負面影響,新型傳感器採用了時鐘發生器電路以及具有較少引腳數量的CCD驅動器。這就為客户減少了EMI、時序調整工作及外圍組件數量,便於系統進行開發。 Ø 主要特性: 100MHz(50MHz×2ch)數據速率,CCD線性圖像傳感器 內置時鐘發生器電路和CCD驅動器,便於系統開發 低功耗:放大器電路的10V電源電壓降至3.3V[3] Ø 應用: A3多功能打印機、自動光學檢查設備 Ø 主要規格: 注: [1] 樣品用於功能評估,其規格可能與量產規格不同。 [2] TCD2724DG-1 [3] 部分使用10V電源。雙電源為3.3V和10V。

    TOSHIBA東芝半導體 圖像傳感器 東芝 CCD

  • 安森美半導體將在Vision China 2021上展示創新工業智能成像技術

    安森美半導體將在Vision China 2021上展示創新工業智能成像技術

    推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),將於3月17日至19日在上海的Vision China展 W1館1416展位展示在工業智能成像的多個創新技術和方案,包括實現超低功耗事件觸發成像的RSL10智能拍攝相機平台,支持快速靈活擴展的高速、高精密XGS系列,支持雙目深度測量的全局快門傳感器AR0234等。 RSL10 智能拍攝相機平台體現了物聯網的下一個進化發展:超自動化。該平台採用人工智能(AI)實現事件觸發成像。它彙集了安森美半導體的多項創新,包括提供超低功耗藍牙低功耗技術的RSL10 SIP,以及ARX3A0 Mono 65° DFOV IAS模塊,輔以先進的運動和環境傳感器以及電源和電池管理,為物聯網帶來自動圖像識別。 RSL10智能拍攝相機平台 XGS系列提供一個通用架構,支持多種分辨率和不同的像素功能,使攝像機制造商能簡化和加快產品上市時間。該系列採用3.2微米全局快門CMOS設計,確保拍攝移動物體時不會有運動偽影,這對於具挑戰性的物聯網應用如機器視覺和智能交通系統至關重要。其中,XGS 45000為分辨率要求高的機器視覺和工業成像應用提供高達4470萬像素的分辨率。安森美半導體將利用一個演示裝置瞄準和測量具有挑戰性的細節對象,來展示XGS 45000提供高精度成像應用所需的分辨率、質量和一致性。此外,高速螺母計數系統(High Speed Nut Counting System)將用於演示該系列中具性價比的XGS 12000 可捕獲高達每秒90幀的(fps)清晰、高分辨率圖像。 XGS 45000圖像傳感器 參考設計X-Cube可以適用於機器視覺行業的29 x 29mm2的相機,支持200萬到1600萬像素的分辨率產品,將幫助客户把XGS方案整合到其攝像機中並提供配套的驅動軟件,加快客户的研發,適用於機器視覺、智能交通系統等應用。 AR0234則帶來高速、120 fps的性能和全局快門,可用於傳統機器視覺,和3D測量等應用。 安森美半導體還將展出使用AR0521的熱能儀參考設計,AR0521能以60 fps 捕獲 500萬像素圖像,是安防、機器視覺等應用的理想選擇。 AR0234圖像傳感器 AR0521圖像傳感器 此外,安森美半導體專家將在機器視覺技術及應用研討會發表演講: 1. 安森美半導體的多功能感知方案賦能工業成像應用 | 3月17日下午2點,OV廳 演講專家:智能感知部工業及消費分部市場經理 陶志 2. 硅光電倍增管傳感器如何實現激光雷達(LiDAR)的廣泛採用| 3月17日下午2點半,W4館一樓M6會議室 演講專家:智能感知部圖像應用工程主管 錢團結

    安森美半導體(ON) 機器視覺 智能成像 安森美半導體

  • 東芝推出採用TOLL封裝的650V超級結功率MOSFET,有助於提高大電流設備的效率

    東芝推出採用TOLL封裝的650V超級結功率MOSFET,有助於提高大電流設備的效率

    中國上海,2021年3月11日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日開始批量出貨。 TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬於4引腳型封裝,能夠對柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接,從而減小封裝中源極線的電感,進而發揮MOSFET實現高速開關性能,抑制開關時產生的振盪。與東芝現有產品TK090N65Z相比,其導通開關損耗降低了約68%,關斷切換損耗降低了約56%。新型MOSFET適用於數據中心和光伏功率調節器等工業設備的電源。 TOLL封裝與最新[4]DTMOSVI工藝技術相結合擴展了產品陣容,覆蓋了低至65mΩ(最大值)的低導通電阻。東芝將繼續採用TOLL封裝工藝對產品進行改進,以減小設備尺寸並提高效率。 Ø 應用 數據中心(服務器電源等) 光伏發電機的功率調節器 不間斷電源系統 Ø 特性 薄而小的表面貼裝封裝 採用4引腳封裝,可以減少導通和關斷的開關損耗。 最新的DTMOSVI系列 Ø 主要規格

    TOSHIBA東芝半導體 東芝 MOSFET TOLL封裝

  • 這手機把驍龍888性能榨乾

    雖然全球疫情依舊,但無礙科技發展,年後手機品牌不斷推出新機型,而在這些新機型中,有一個品牌讓人感覺格外特別,那就是努比亞的紅魔遊戲手機。 記得2018年初第一次參加紅魔發佈會,到現在短短3年,紅魔就推出了多款機型:有別於其他手機,紅魔手機的外觀都讓人印象深刻。3月4日,新一代紅魔手機正式發佈,這次跟騰訊遊戲合作打造出——騰訊遊戲手機6系列。華叔第一時間拿到這款騰訊紅魔遊戲手機6,延續了紅魔5G、紅魔5S的設計風格,整個機背的大部分區域採用寶石加工工藝處理,配合深銀灰色的塗裝後,融入紅魔電競元素,令整體觀感更自然通透、簡約大氣且充滿科技動感。 道、導熱銅箔、導熱凝膠、石墨、液冷VC散熱片、峽谷風道設計等多維散熱結構,系統。 透的風道吹出,提高了散熱效率,真正起到核心降温的作用。 如果有對紅魔手機有了解,肯定知道它們的“觸控式肩鍵”(該按鍵可理解為:PS遊戲機的L1、R1)。 這次,紅魔6依然保留在機身右側上下兩端,升級為紅魔3.0遊戲肩鍵,並採用雙IC獨立觸控芯片方案。 觸控觸控面積相比上一代增加26.3%;升至24M,性能提升50%,點擊響應低至8.3ms。 機身頂部、頂部功能佈局,跟紅魔5S的幾乎一致,頂部3.5mm耳機孔被“友好”保留,下面有揚聲器、USB-C接口、SIM卡卡槽。 另外,紅魔6還有DTS Ultra X環繞音效技術,在遊戲中甚至可以實現遠近、左右,以及上下不同方位的音色差異,便於玩家“聽音辨位”。 這次,紅魔6也恢復了燈帶玩法,又返回“任性”、“高調”的風格。 ‍ 燈帶支持單色、顏色漸變。燈效支持常亮、呼吸、閃爍、對閃、流動、燈隨音動等效果。 而紅魔LOGO支持常亮、呼吸燈兩種效果。 紅魔的散熱魔盒也升級為紅魔雙核散熱背夾,上一代只有單個風扇,而這代提供雙風扇,降温能力更強。 雙核散熱背夾無需按鍵自動開關,拉開拉手即啓動,還可以通過藍牙用APP連接控制燈效、散熱檔位和開關,效。 ‍‍ 雙核散熱背夾的半導體制冷底座最大變焦手LPDDR5+UFS3.1,LPDDR5運存,相較於雙通道LPDDR4x運存,LPDDR5的充電頭兼C3.0/QC4.0/PD3.0/PPS等多種快充協議,可為市面上大部分支持PPS協議的筆和手機快充。 其實這代紅魔有兩款,另一款是紅魔6 Pro,兩個版本處理器一樣,但有部分配置不同,例如紅魔6 Pro配置120W的氮化鎵充電頭,而紅魔6的充電頭最高支持66W。 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    華叔聊科技 遊戲手機 紅魔 驍龍888

  • 東芝推出輕薄緊湊型LDO穩壓器,助力縮小器件尺寸、穩定電源線輸出

    東芝推出輕薄緊湊型LDO穩壓器,助力縮小器件尺寸、穩定電源線輸出

    中國上海,2021年3月3日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,推出由45款LDO穩壓器組成的“TCR5RG”系列。該系列均採用輕薄、緊湊型WCSP4F封裝。新款LDO穩壓器擁有業界領先的[1]高紋波抑制比[2],能夠為可穿戴產品等移動設備的直流電源線提供更穩定的功率。該系列產品將從今日開始批量出貨。 TCR5RG系列通過結合寬帶隙電路、低通濾波器(僅允許極低頻率通過)以及低噪聲高速運算放大器,實現了業界領先的[1]100dB(典型值)高紋波抑制比[2]。此外,它們還具有低輸出電壓噪聲和高輸出電壓精度的特點。這些特性結合在一起,使該系列穩壓器能夠提高電源線的穩定性。 該系列包含45款產品,最大輸出電流為500mA,輸出電壓範圍在0.9V到5.0V之間,以便用户根據自己的應用選擇最合適的輸出電壓。 新款LDO穩壓器採用尺寸為0.645mm×0.645mm的輕薄緊湊型WCSP4F封裝,適合攝像頭和小型設備(例如需要高密度貼裝的智能手機和可穿戴產品)的電源線應用。 Ø 應用 · 可穿戴設備(智能手錶和運動型相機等) · 移動設備(智能手機、平板電腦和便攜式音頻播放器等) · 醫療保健(電動剃鬚刀、電子血壓計和血糖儀等) Ø 特性 · 高紋波抑制比:f=1kHz時,R.R.=100dB(典型值) · 低輸出噪聲電壓:10Hz≤f≤100kHz時,VNO=5μVrms(典型值) · 高輸出電壓精度: 1.8V≤VOUT≤2.8V,Tj=-40℃至85℃時,VOUT最小值/最大值=-1.5%/1.5% VOUT>2.8V,Tj=-40℃至85℃時,VOUT最小值/最大值=-1.8%/1.8% · 輕薄緊湊型WCSP4F封裝:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度=0.33mm(最大值) Ø 主要規格

    TOSHIBA東芝半導體 東芝 電源 LDO穩壓器

  • 安森美半導體虛擬參與embedded world 2021 DIGITAL

    2021年3月3日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),正把握機會以助embedded world 2021 DIGITAL展會成功舉辦。安森美半導體提供獨特的觀展體驗,共有 21個產品演示,並重點介紹最新推出的幾款產品,及展示一個完整的傳感器到雲方案。 這21個演示安排在6個專門的在線接待區,涵蓋高壓電源、智能圖像感知、物聯網(IoT) 電子市場場所、IoT傳感器系統、IoT垂直方案,以及智能電源與控制。演示的內容涵蓋許多應用,包括智能訪問控制、醫院資產跟蹤和測量邊緣設備的功耗。 安森美半導體還展示集成博世物聯網套件(Bosch IoT Suite)的新系列傳感器平台的更詳細信息。此物聯網(IoT)方案的軟件平台已用於將超過1500萬個傳感器、設備和機器聯接到用户和企業系統。通過安森美半導體的方案和博世生態系統的端到端、傳感器到雲的平台,安森美半導體展示IoT的可及性。 安森美半導體的embedded world 2021 DIGITAL演示室 的其他亮點還包括瞭解有關新的NCP51810氮化鎵(GaN)門極驅動器的更多信息,它帶來了寬禁帶增強型GaN的優勢,為嵌入式系統創建更小、更高能效的電源。NCP51810可維持150 V的電壓,非常適用於48 V系統的應用,如負載點、工業電源模塊和數據中心中使用的中間總線轉換器。這款GaN門極驅動器具有獨特的電磁干擾(EMI)噪聲抑制和先進的診斷監控功能,使其成為同類產品中的佼佼者。它支持的電源拓撲很多,包括諧振、半橋、全橋、有源鉗位轉換器和非隔離降壓轉換器。 展會也重點介紹NCL31000智能LED驅動器,演示可見光通信(VLC)的應用。VLC是一種以可見光為載波的光通信方法,同時避免對人眼造成干擾。該技術已用於實現高精度室內定位,實現了以釐米而非米為單位的精度。NCL31000智能LED驅動器能真正的調光到暗,可驅動整個系統,並精確測量所有系統電壓和電流。

    安森美半導體(ON) 傳感器 智能圖像感知 安森美半導體

  • 安森美半導體通過博世物聯網套件(Bosch IoT Suite)擴展物聯網平台支持和功能

    安森美半導體通過博世物聯網套件(Bosch IoT Suite)擴展物聯網平台支持和功能

    2021年3月3日 — 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),宣佈RSL10智能拍攝相機平台和RSL10傳感器開發套件 已預集成在 Bosch IoT Suite 中,該套件是博世集團 (Bosch Group)的物聯網 (IoT) 核心軟件平台和核心軟件生態系統。 RSL10 智能拍攝相機平台和RSL10傳感器開發套件是完整的節點到雲的方案,含先進的藍牙低功耗聯接和傳感技術。最近發佈的RSL10 智能拍攝相機平台專為事件觸發式成像而設計,結合低功耗圖像捕獲功能和對基於雲的人工智能(AI)分析的支持。開發人員使用RSL10智能拍攝相機平台,可創建成像應用,當由時間或環境變化 (如運動、濕度或温度等) 引起的事件觸發時,自動拍照。 同時,RSL10傳感器開發套件是個非常緊湊且多功能平台,含十多個板載環境傳感器。 將基於RSL10的方案納入到Bosch IoT Suite中,開發人員可訪問一系列工具和資源,包括可在全球公共雲上選擇的關鍵中間件組件。 該軟件允許在現場大規模部署和管理IoT應用,包括設備配置和預配以及遠程維護。Bosch IoT Suite套件還包括創新的“數字孿生(Digital Twin)”建模功能。該功能使設計人員可使用基於雲的模型創建其設備的虛擬表示形式,以瞭解它們將在現實世界中提供什麼功能和服務。 安森美半導體IoT主管Wiren Perera説:“Bosch IoT Suite真正解決了IoT 原始設備製造商(OEM)面臨的一些最重大挑戰,包括數據和設備管理。為我們的IoT平台添加這種支持,我們正在幫助開發人員快速構建和實施基於雲的、高度可擴展的IoT應用。” RSL10智能拍攝相機平台和RSL10傳感器開發套件現已通過當地的安森美半導體銷售代表和授權代理商發售。

    安森美半導體(ON) 物聯網 雲服務 安森美半導體

  • 安森美半導體發佈世界首款車規硅光電倍增管(SiPM)陣列產品,用於激光雷達應用

    安森美半導體發佈世界首款車規硅光電倍增管(SiPM)陣列產品,用於激光雷達應用

    2021年3月2日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),今天發佈新的RDM系列硅光電倍增管 (SiPM) 陣列,將激光雷達 (LiDAR) 傳感器能力擴展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場上首款符合車規的SiPM產品,應對汽車行業及其他領域LiDAR應用中不斷增長的需求。 ArrayRDM-0112A20-QFN是單片1×12 SiPM像素陣列,基於安森美半導體領先市場的RDM工藝,可實現對近紅外 (NIR) 光的高靈敏度,從而在905納米(nm)處達到領先業界的18.5%的光子探測效率 (PDE) (1)。SiPM的高內部增益使其靈敏度可達到單光子水平,該功能與高PDE結合使用,可以檢測最微弱的返回信號。因此,即使是低反射目標,也能探測到更遠的距離。 SiPM技術近年來發展勢頭強勁,由於其獨特的功能集,已成為廣闊市場深度傳感應用的首選傳感器。SiPM能在明亮的陽光條件下進行長距離測距時提供最佳的信噪比性能。其他優勢包括較低的電源偏置和較低的温度變化敏感性,使其成為使用傳統雪崩光電二極管(APD)的系統的理想升級產品。SiPM採用大批量CMOS工藝生產,可實現最低的探測器成本,從而實現應用於廣闊市場的LiDAR方案。 使用激光測量物體的距離已跨越了汽車、消費和工業應用領域。在汽車領域,LiDAR可用於提升安全性和駕駛員輔助系統(ADAS),通過與其他感知模式互補和提供冗餘,輔助如車道保持和交通擁堵輔助等功能。LiDAR正普遍用於全自動駕駛的使用案例,例如機器人運輸,以安全地實時導航環境。受益於ArrayRDM-0112A20-QFN的高PDE,支持這些功能的LiDAR系統已被證明可在300米以上的距離測距。更遠的距離使車輛有更多時間來應對意外障礙。 安森美半導體汽車感知分部高級總監Wade Appelman 説:“LiDAR提供的高分辨率深度數據可在充滿挑戰的微光條件下即時準確地識別物體。 ArrayRDM-0112A20-QFN是首款符合車規的SiPM,將提供遠距離、高性價比的LiDAR方案,以實現下一層次的安全和自主性。我們正不斷加強我們的傳感器組合,提供多樣化且互補的感知模式,為更高級別的ADAS和自動駕駛鋪平道路。” Yole技術與市場分析師Pierrick Boulay説:“Yole Développement (Yole)將LiDAR視為實現汽車全自主化的一個關鍵組成部分,其功能必須達到2+及以上級別。 生產符合車規並具有足夠性能水平的傳感器,將成為汽車應用大規模採用LiDAR的關鍵推動力,根據目前的趨勢,預計在2019年至2025(2)年之間的複合年增率為+144%。” ArrayRDM-0112A20-QFN符合AEC-Q102和按照 IATF 16949開發。有關LiDAR方案的更多信息,請聯繫當地的銷售辦事處。

    安森美半導體(ON) 激光雷達 SiPM 安森美半導體

  • 新的輔助電源方案用於汽車功能電子化

    新的輔助電源方案用於汽車功能電子化

    輔助電源單元在電池電動汽車(BEV)和混合動力電動汽車(HEV)的電源應用中無處不在,對於為控制、通信、安全、驅動等通常低於20 V的各種低壓子系統供電至關重要,而且,電源本身的電源可能來自+400 V直流高壓總線,如車載充電(OBC)系統或48 V或12 V電池電壓軌。在如此廣泛的應用範圍內,對輔助電源的要求非常多樣化,因而市場上產生了無數替代方案和運用。 儘管這些電源是輔助系統,但仍需要確保高可靠性和穩定性,因其在為關鍵模塊供電,如可能包括核心控制器的邏輯級電路,或導通和關斷功率金屬氧化物硅場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的門極驅動器。同時,要求緊湊的設計和出色的性價比,因為這些系統不是應用的核心部分,因此應花費盡可能少的資源來完成工作。安全也是最重要的,在大多數情況下,系統必須符合汽車標準,也規定了電磁干擾限制。而且,適應廣泛的輸入電壓範圍和適應不同用例的靈活性,使其脱穎而出。最後同樣重要的是,輔助電源需要提供高壓隔離,特別是如果法規規定,或功能隔離,以實現可靠的運行。 汽車高壓輔助電源 根據應用相應的上述要求,輔助電源用在不同的拓撲結構-反激、升壓、降壓-升壓等。它們可採用替代的開關機制,如:準諧振或固定頻率,並利用集成或分立技術來傳輸所需的功率。 圖1.基於反激式拓撲的隔離型輔助電源原理圖,工作在準諧振峯值電流模式控制下 安森美半導體最近推出了四個新方案:高壓輔助電源,適用於基於800 V和400 V電池的BEV和PHEV並提供15 W或40 W功率,以及用於IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET驅動器的隔離型電源。這些方案解決上述挑戰並滿足所需要求。 SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB和SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB是極高能效和靈活的初級端調節(PSR)輔助電源,優化用於BEV和PHEV汽車動力總成。這些設計可在250 V至900 V的寬輸入直流電壓範圍內提供穩定的15 V,因此適用於400 V和800 V電池系統。 該方案利用NCV1362準諧振峯值電流PSR反激控制器、成本優化的NVHL160N120SC1 160mΩ1200 V碳化硅(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二極管的多種優點。得益於SiC FET的高阻斷電壓能力和超低門極電荷(34 nC)值,開關損耗顯著減小,該設計表現出出色的能效,在低交流電條件下高達86%。 NCV1362控制器出色的驅動能力支持SiC FET在12 V下直接運行,而無需預驅動器,從而簡化了佈局並減少了物料單的內容。反激式變壓器提供4 kV的隔離度,且完全通過汽車級半導體和無源器件實現。 圖2. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB的能效 圖3. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB框圖 圖4.15 W高壓輔助電源的優勢 (SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB) SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驅動器的隔離電源,提供所需穩定電壓軌 (-7.5 V和15 V,每個分路50 mA),實現在寬輸入電壓範圍(6 Vdc至18 Vdc)高效開關。還提供了額外的+7.5 V電源軌,以支持任何其他較低電壓邏輯。該系統利用NCV3064 DC-DC轉換器,實現緊湊而穩定可靠的設計,最小化材料單內容。該板完全採用汽車認證的器件實現,並且與商用IGBT DC - DC電源引腳兼容,從而提供了開箱即用的隔離型驅動器電源方案。使用相同NCV3064的另一個SiC變體SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB [1]將適用於SiC MOSFET開關,為門極驅動器提供+ 20 V /-5V電壓軌。 圖5.1.5 W IGBT隔離型驅動器電源的優勢 (SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB) 圖6. SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB框圖 新的電源設計用於400 V和800 V電池系統,隔離型電源用於IGBT和SiC門極驅動器,都經過專門設計,可直接集成到應用系統中。 安森美半導體用於汽車輔助電源方案的廣泛產品和工具陣容,有助於滿足每種應用的要求並提供最佳方案。除了AC-DC控制器和穩壓器、DC-DC控制器和穩壓器、功率MOSFET、二極管和保護器件的全面產品陣容,以充分實現廣泛的設計,我們還提供廣泛的硬件和軟件評估以及開發工具幫助工程師,可加快開發階段並縮短新產品的上市時間。

    安森美半導體(ON) 輔助電源 汽車功能電子化 高壓輔助電源

  • Strata賦能的汽車LED尾燈方案

    Strata賦能的汽車LED尾燈方案

    如今,全球汽車行業看到在大多數汽車照明應用中使用LED照明的好處和價值。LED的高能效、使用壽命長、低輻射熱、高可靠性和高流明密度等特性,使其成為一種很有吸引力的技術。安森美半導體的Strata賦能的汽車LED尾燈評估套件在Strata Development Studio中提供了一個易於使用的平台,來幫助評估這關鍵汽車應用中的LED系統。 新的評估套件基於可由I2C控制的12通道60 mA LED線性電流驅動器NCV7685,具有以下功能:12個獨立控制的脈寬調製(PWM)通道、可變PWM頻率、通過單個電阻器的電流設定值和LED 診斷。該方案以安森美半導體的其他關鍵器件為亮點,如CAT5171數字電位器,FPF2193負載開關,NCV47822雙高邊開關,FPF2700可調限流負載開關,NCV8853降壓控制器,NCV5173升壓調節器,NCT375温度傳感器和NCS214R電流檢測放大器。 圖1:框圖 讓我們演示Strata賦能的汽車LED尾燈評估套件。 首先,下載並安裝Strata Developer Studio。然後,將套件隨附的微型USB電纜從開發板上插入運行Strata的PC。連接後,將自動檢測該板,並通過單擊“打開平台控件”按鈕立即訪問控制用户界面(UI)。控件UI中的導航選項卡易於使用,旨在提供完整的評估體驗。 左側的第一個選項卡是“汽車演示模式”。選中後,將自動啓用它以模擬普通汽車的尾燈和前燈。默認配置以每分鐘左右方向指示燈均閃爍80次來顯示汽車危險指示燈。可以使用用户界面右側的可單擊控件來配置剎車燈,倒車燈,閃光燈和行車燈。必須禁用危險,使用左右閃光燈控件。 以易於使用和直觀的用户界面,“ LED控制”選項卡可通過直接控制LED驅動器的I2C寄存器、PWN來全面控制12個LED通道。 “電源”選項卡控制輸入電源以及評估板上各種電流、電壓和温度遙測的讀數。默認電源配置使用USB VBUS的可調輸出升壓轉換器,LED電源的最大功率限制為約2 W。可以通過香蕉插頭或桶形連接器連接外部電源,以實現更高的功率運行。 LED串電壓由板載升壓或降壓電源提供或直接從外部香蕉/桶形連接器提供。 “ SAM(獨立模式),OTP(一次性編程)和CRC(循環冗餘校驗)”選項卡可通過使用NCV7685來訪問SAM和OTP寄存器,而無需微控制器通過I2C通訊來配置LED驅動器。 I2C地址和CRC也可以設置為非默認值。 圖2:平台控制界面 平台的完整資料如原理圖、布板、框圖、用户指南、測試報告、數據表等都在Strata Developer Studio中的“文檔”選項卡下。 圖3:平台文檔 Strata賦能的汽車LED尾燈評估套件提供測試、測量和控制LED車輛照明中的各種關鍵設計參數的全面的評估經驗,以幫助設計工程師確定該方案是否兼容並完全適合其汽車照明應用。該汽車LED尾燈方案適用於以下領域:儀表盤、組合尾燈(RCL)、日間行車燈(DRL)、霧燈、中央高位停車燈(CHMSL)陣列、轉向信號燈和其他外部調製應用。

    安森美半導體(ON) LED尾燈 汽車照明應用

  • 安森美半導體攜手梅賽德斯-EQ FE團隊重返第7季Formula E

    安森美半導體攜手梅賽德斯-EQ FE團隊重返第7季Formula E

    作為梅賽德斯-EQ Formula E賽車隊的驕傲供應商,安森美半導體為Formula E賽季的首場比賽感到興奮。這將是第一個機會展示團隊在開發下一代電動動力總成創新技術方面的工作,以實現最先進的性能和效率。 安森美半導體與梅賽德斯AMG高功率性能(HPP)部門之間的技術合作為汽車帶來了重大進步。 在功率逆變器中使用安森美半導體的碳化硅,與以前的設計相比,提高了汽車的性能,同時還增加了扭矩和加速度。 在整個季節中,團隊將繼續評估功率逆變器功率級組件的持續性能改進 Formula的總工程師Pierre Godof表示:“在我們的合作過程中,HPP受益於安森美半導體的高科技產品,車隊對其技術的深入瞭解以及願意突破極限來滿足我們的賽車要求。奔馳HPP的E動力總成。“安森美半導體一直在不懈地努力以優化逆變器功率級的能效,為我們提供了在競爭中的重要優勢。” 作為汽車行業的全球十大半導體供應商,並擁有超過10,000種汽車級(AEC)產品的行業領先產品組合,參加Formula E為安森美半導體提供了加速創新和能源開發的機會。高效的產品。 安森美半導體的碳化硅技術已通過140場比賽或相當於10個賽季的測試的測試。 “安森美半導體採用最先進的碳化硅技術,使梅賽德斯-EQ Formula E團隊能夠創造出迄今為止最高效,最可靠的賽車電源逆變器,”賽門鐵克市場營銷與解決方案高級副總裁戴維•索莫(David Somo)説。安森美半導體。公式E在功率轉換,熱動力學和高級軟件控制方面不斷突破。通過贊助商進行測試的技術都是高度相關的,並且可以轉移到下一代電動汽車的應用中,這將使消費類汽車行駛得更遠,更安全,更可靠。”

    安森美半導體(ON) 電源逆變器 電動動力 碳化硅技術

  • 東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助於提升工業設備效率和小型化

    東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助於提升工業設備效率和小型化

    中國上海,2021年2月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特徵)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產品將於2021年5月投入量產。 為達到175℃的通道温度,該產品採用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。 Ø 應用 ・用於軌道車輛的逆變器和轉換器 ・可再生能源發電系統 ・工業電機控制設備 Ø 特性 ・漏源額定電壓:VDSS=3300V ・漏極額定電流:ID=800A雙通道 ・寬通道温度範圍:Tch=175℃ ・低損耗: Eon=250mJ(典型值) Eoff=240mJ(典型值) VDS(on)sense=1.6V(典型值) ・低雜散電感:Ls=12nH(典型值) ・高功率密度的小型iXPLV封裝 Ø 主要規格

    TOSHIBA東芝半導體 東芝 MOSFET 碳化硅

  • Ethisphere宣佈安森美半導體連續第六次入選2021年世界最道德企業之一

    2021年2月24日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),獲Ethisphere選為世界最道德企業之一,Ethisphere是定義和推進合乎商業道德標準的一個全球領導者。安森美半導體連續第六年獲此榮譽,且是半導體行業中僅有的三家獲獎公司之一。 安森美半導體總裁兼首席執行官(CEO) Hassane El-Khoury説:“安森美半導體致力於以我們每天的行動來打造更美好的明天。隨着公司的不斷髮展,我們將專注於改善運營方式--無論是與我們的業務、管治和道德規範、員工、環境還是與我們的社區有關。” 安森美半導體致力於與員工、客户、股東和其他利益相關者保持高度的商業道德標準。在踐行公司的核心價值觀時,每位員工的行為都體現了個人和集體的努力,為他們的同事和業務合作伙伴創造合乎道德規範的工作環境,進一步提高股東價值。 Ethisphere首席執行官Timothy Erblich表示:“在應對2020年的嚴峻挑戰時,我們看到一些企業領先於其他機構,因彈性和對道德規範與誠信的承諾贏得利益相關者的信任。世界最道德企業獲獎者持續表現出對最高價值的堅定承諾,並對他們所服務的社區產生積極影響。安森美半導體連續第六年獲選為世界最道德企業之一的稱號,在此對安森美半導體的每一位員工表示祝賀!” 世界最道德企業(WME)評選方法和評分 世界最道德企業的評選流程基於Ethisphere 專有的Ethics Quotient®,包括200多個關於文化、環境和社會實踐、道德與合規活動、管治、多樣性和支持強大價值鏈的舉措的問題。該流程作為一個操作框架,用於採集和編纂全球各行業企業的領先做法。今年,該流程得到了簡化,問題集獲擴大,以衡量申請的企業如何適應和應對全球衞生大流行病、環境、社會和管治因素、安全、公平、包容性和社會公義。 安森美半導體道德與企業社會責任(CSR)副總裁張慧貞説:“我司持續恪守道德、高能效運營的承諾。它們確實是成功業務的基石,指導着影響股東、客户、供應商和員工的深遠決策。在極富挑戰性的一年裏,我們在多方面展示了互敬互重、誠信正直和積極進取的核心價值觀,彰顯我們如何始終堅定地致力於積極影響員工和我們運營所在的社區。” 安森美半導體的根基仍植根於環境可持續運營、商業道德規範和包容文化。作為負責任商業聯盟(Responsible Business Alliance)的正式成員之一,安森美半導體在過去四年入選美國《巴倫週刊》(Barron’s)最可持續發展的100家公司之一,最近排名又升至第10位,成為名單上排名最前的半導體公司。2020年,安森美半導體還獲EcoVadis的最高獎項鉑金獎,EcoVadis是全球供應鏈環境、社會和道德績效評級的領先平台,安森美半導體躋身被評估公司的前1%,並獲《世界金融雜誌》評為半導體行業最可持續的公司。

    安森美半導體(ON) Ethisphere 世界最道德企業 安森美半導體

  • 關於隔離電源的正激式和反激式解析,你知道嗎?

    關於隔離電源的正激式和反激式解析,你知道嗎?

    隨着全球多樣化的發展,我們的生活也在不斷變化着,包括我們接觸的各種各樣的電子產品,那麼你一定不知道這些產品的一些組成,比如開關電源。 開關電源分為隔離型和非隔離型兩種。在這裏,我們主要討論隔離式開關電源的拓撲。在下文中,除非另有説明,否則它們均指隔離電源。根據不同的結構形式,隔離式電源可以分為兩類:正激和反激。反激是指當變壓器的初級側開啓時,次級側被切斷,並且變壓器存儲能量。當初級側斷開時,次級側打開,並且能量釋放到負載的工作狀態。通常,常規的反激式電源具有更多的單管,但雙管並不常見。正向型是指當變壓器的初級側接通時,次級側感應相應的電壓並將其輸出到負載,能量直接通過變壓器傳遞。根據規格,可分為常規前進,包括單管前進和雙管前進。半橋和橋電路都是正向電路。 正激和反激電路都有其自身的特性,可以靈活使用它們,以便在電路設計過程中獲得最佳的性價比。通常,反激式可用於低功率場合。對於稍大一點的電路,可以使用單管正向電路。對於中等功率,可以使用雙管正向電路或半橋電路。當電壓低時,可以使用推輓電路,與半橋工作狀態相同。對於高功率輸出,通常使用橋式電路,而推輓電路也可用於低電壓。 反激式電源由於其結構簡單並消除了類似於變壓器尺寸的電感而被廣泛用於中小型電源。在一些介紹中,提到了反激式電源的功率只能達到幾十瓦,而輸出功率超過100瓦卻沒有任何優勢,並且很難實現。我認為通常是這樣,但不能一概而論。 PI的TOP芯片可達到300瓦。有一篇有關可實現數千瓦功率的反激式電源的文章,但我從未見過實際產品。輸出功率與輸出電壓有關。 反激式電源變壓器的漏感是一個非常關鍵的參數。由於反激電源需要變壓器存儲能量,以充分利用變壓器鐵芯,因此通常需要在磁路中打開空氣間隙。目的是改變鐵心的磁滯。環路的斜率使變壓器能夠承受大脈衝電流的影響,而鐵心不會進入飽和非線性狀態。磁路中的氣隙處於高磁阻狀態,並且在磁路中產生的漏磁比完全閉合的磁路大得多。 。 變壓器初次極間的偶合,也是確定漏感的關鍵因素,要儘量使初次極線圈靠近,可採用三明治繞法,但這樣會使變壓器分佈電容增大。選用鐵芯儘量用窗口比較長的磁芯,可減小漏感,如用EE、EF、EER、PQ型磁芯效果要比EI型的好。 關於反激電源的佔空比,原則上反激電源的最大佔空比應小於0.5,否則環路不易補償且可能不穩定,但也有一些例外。例如,美國PI公司推出的TOP系列芯片為。它可以在佔空比大於0.5的條件下工作。佔空比由變壓器一次側和二次側的匝數比確定。我對反激的觀點是首先確定反射電壓(輸出電壓通過變壓器耦合反射到初級側),並且反射電壓在一定電壓範圍內增加。佔空比增加,開關管損耗減小。反射電壓降低,佔空比降低,並且開關管損耗增加。 當然,這也是前提條件。當佔空比增加時,這意味着輸出二極管的導通時間縮短。為了保持輸出穩定,輸出電容器的放電電流將確保更多的時間,並且輸出電容器將承受更大的高頻紋波電流衝擊和加熱,這在許多情況下是不允許的。增加佔空比並改變變壓器匝數比將增加變壓器的漏感,並改變其整體性能。當漏感能量在一定程度上較大時,可以充分抵消開關大佔空比引起的低損耗。此時,沒有任何增加佔空比的意義,並且由於高漏感抗峯值電壓,甚至可能使開關管擊穿。由於漏感較大,輸出紋波和其他電磁指標可能會變差。當佔空比較小時,流經開關管的電流有效值較高,而變壓器一次電流的有效值較大,降低了轉換器效率,但可以改善輸出電容器的工作條件並減少熱量的產生。 在研究設計過程中,一定會有這樣或着那樣的問題,這就需要我們的科研工作者在設計過程中不斷總結經驗,這樣才能促進產品的不斷革新。

    電源-能源動力 隔離電源 反激式 正激式

首頁  上一頁  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一頁 尾頁
發佈文章